1. Pretratamiento
- Limpieza del sustrato: desplazamiento ultrasónico + limpieza de plasma (potencia 50-200W).
- Agua y posicionamiento: asegúrese de que la distancia entre el sustrato y la fuente de evaporación sea de 20-50 cm (afectando la uniformidad del grosor de la película).
2. Etapa de recubrimiento
-Pre-Futtering: introduce gas argón (caudal 10-50sccm) para eliminar los óxidos en la superficie del objetivo.
- Deposición principal:
-Recubrimiento de evaporación: velocidad 0.1-10 nm/s (potencia de haz de electrones 5-20kW).
-Sputtering de magnetrón: tasa de deposición 0.01-1 μm/min (presión de gas 0.1-1pa).
3. Post-tratamiento
-Recocido y fortalecimiento (200-400 grados, 1-2 horas) para mejorar la adhesión de la película (prueba de rasguño mayor o igual a 5n).
